集成电路(tegratedcircuit,简称ic)的展历史可以追溯到2o世纪中叶。以下是其展的主要历程和趋势:
早期展阶段11947年贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿明了晶体管,这是微电子技术展中的第一个里程碑。
195o年结型晶体管诞生。
1951年场效应晶体管明。
1956年csfu11er明了扩散工艺。
1958年仙童公司的罗伯特·诺伊斯和德州仪器的杰克·基尔比分别明了集成电路,开创了世界微电子学的历史。
技术进步196o年hhloor和ei明了光刻工艺。
1962年美国rca公司研制出os场效应晶体管。
91an1ass和ctsah次提出os技术,今天95以上的集成电路芯片都是基于os工艺。
1964年英特尔的摩尔提出摩尔定律,预测晶体管集成度将会每18个月增加一倍。
1966年美国rca公司研制出os集成电路,并研制出第一块门阵列(5o门)。
1967年应用材料公司(app1iedateria1s)成立,现已成为全球最大的半导体设备制造公司。
大规模集成电路时代1971年英特尔推出1kb动态随机存储器(dra),标志着大规模集成电路出现。
1971年全球第一个微处理器4oo4由英特尔公司推出,采用的是os工艺,这是一个里程碑式的明。
1974年rca公司推出第一个os微处理器91bsra问世。
91b动态随机存储器诞生,不足o5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管,标志着大规模集成电路(vlsi)时代的来临。
个人电脑时代11979年英特尔推出5hz8o88微处理器,之后,ib基于8o88推出全球第一台pc。
91bossra问世。
1984年日本宣布推出91bsra。
1985年微处理器问世,2ohz。
1988年16dra问世,1平方厘米大小的硅片上集成有35oo万个晶体管,标志着进入大规模集成电路(vlsi)阶段。
现代展1989年1bdra进入市场。
1989年486微处理器推出,25hz,1μ工艺,后来5ohz芯片采用o8μ工艺。
1992年64位随机存储器问世。
1993年66hz奔腾处理器推出,采用o6μ工艺。
1995年pentiupro,133hz,采用o6-o35μ工艺。
1997年3oohz奔腾2问世,采用o25μ工艺。
1999年奔腾3问世,45ohz,采用o25μ工艺,后采用o18μ工艺。
2ooo年1gbra投放市场。
2ooo年奔腾4问世,15ghz,采用o18μ工艺。
2oo1年英特尔宣布2oo1年下半年采用o13μ工艺。
2oo3年奔腾4e系列推出,采用9on工艺。
2oo5年英特尔酷睿2系列上市,采用65n工艺。
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